通过衬底处理改善CDU的方法

本发明公开了一种通过衬底处理改善CDU的方法，包含：步骤一，在准备进行光刻工艺的半导体衬底上淀积一层氮化钛层作为硬掩模层，在所述的氮化钛层表面再淀积一层氧化硅层；步骤二，进行一步衬底处理工艺，在工艺腔内对晶圆进行O等离子表面处理；步骤三，在氧化硅层表面涂覆光刻胶，并进行曝光工艺。本发明增加一步衬底处理工艺，加入O等离子表面处理，通过O等离子体氧化表面含氮层，形成稳定的氮氧化物，减少N的析出释放；等离子体处理可在衬底表面生成致密的无机层,阻隔内部氮成分向表面扩散，从而降低光刻胶中毒的情况发生。