SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备

本发明公开了一种SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备，该方法包括：步骤一：提供第一衬底作为底硅层，测量所述底硅层的厚度特征值T；步骤二：提供第二衬底作为顶硅层，并与所述底硅层键合得到SOI晶圆；步骤三：对所述顶硅层进行减薄处理，直至所述SOI晶圆达到设定厚度T，所述设定厚度T=T+T+A，其中，T为所述顶硅层的目标厚度值，A为反馈调整量；步骤四：测量减薄后的所述顶硅层的实际厚度特征值T，计算所述实际厚度特征值与所述目标厚度值的厚度差值ΔT=T‑T；步骤五：基于所述厚度差值ΔT修正并更新所述反馈调整量A；步骤六：重复步骤一至步骤五，进行下一片SOI晶圆的加工。本发明可以显著提高SOI晶圆顶硅厚度的均匀性和一致性。