采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法及SOI衬底

本发明涉及一种采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述采用双面减薄工艺制备SOI衬底的方法包括如下步骤：提供两片晶圆，每片所述晶圆均包括键合面以及与所述键合面相对的背面；于至少一片所述晶圆的所述键合面上形成氧化层；以两片所述晶圆的所述键合面相对的方向键合两片所述晶圆，并以两片所述晶圆之间的所述氧化层作为埋氧层，形成初始SOI衬底；分别自两片所述晶圆的所述背面减薄两片所述晶圆，形成SOI衬底。本发明改善了最终形成的SOI衬底的性能和制造良率，使得最终形成的超薄SOI衬底能够满足高端半导体器件对SOI衬底厚度均匀性的严苛要求，而且简化了减薄步骤，提高了SOI衬底的制备效率。