一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件

本申请公开一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构，包括衬底、深沟槽、浅沟槽和应力调节层，浅沟槽自衬底上表面向衬底的下表面凹陷，深沟槽自浅沟槽的底壁向衬底的下表面凹陷，深沟槽与浅沟槽相连通，浅沟槽的直径大于深沟槽的直径，浅沟槽和深沟槽内填充有隔离材料，应力调节层掩埋于浅沟槽的隔离材料内，应力调节层在衬底的下表面上的投影覆盖深沟槽的投影，且应力调节层有压应力。该深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，能够提高深沟槽隔离结构的表面形态，降低生产难度。