半导体器件及其形成方法

本申请公开了半导体器件及其形成方法。在半导体器件的互连层中的互连结构的最底层上方形成导电材料的层，并且蚀刻导电材料的层以从导电材料的层限定金属化结构的最底层。为了降低独立式金属化结构塌陷的可能性，独立式金属化结构的暴露侧壁表面可以被氧化以形成独立式金属化结构的金属氧化物侧壁。可以使用自对准氧化技术来形成金属氧化物侧壁，该自对准氧化技术专门针对独立式金属化结构的侧壁来进行氧化。金属氧化物侧壁可以由增加独立式金属化结构的机械强度的金属氧化物材料形成，这使得独立式金属化结构能够抵抗塌陷。