芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备

本申请提供一种芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，能够阻断衬底背面引入的金属污染。该芯片包括衬底结构、有源器件、硅通孔。其中，衬底结构包括：第一衬底、第二衬底、介质层。介质层位于第一衬底和第二衬底之间，且介质层能够阻挡金属扩散。有源器件设置在第一衬底远离介质层的一侧，第二衬底在靠近介质层的一侧具有吸杂层；硅通孔贯穿第一衬底、介质层、吸杂层并延伸至第二衬底中。通过介质层可以阻止第二衬底的背面引入金属扩散至有源器件区域，从而降低了有源器件发生电性异常或失效的几率。