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기록
半导体结构及其形成方法
발명유효
18청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
金吉松
IPC 분류
H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/42 (2026.01)
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底;在基底上形成互连线,用于与互连结构电连接;形成覆盖互连线顶面的生长层,生长层的材料与互连结构的材料相同;在生长层上形成互连结构,互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性能。
발명자
金吉松
IPC 분류
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底;在基底上形成互连线,用于与互连结构电连接;形成覆盖互连线顶面的生长层,生长层的材料与互连结构的材料相同;在生长层上形成互连结构,互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性能。