改善外延层套刻偏移的方法、超级结器件及其制作方法

本发明提供一种改善外延层套刻偏移的方法、一种超级结器件及其制作方法。所述改善外延层套刻偏移的方法中，多个外延层中的至少两个作为对准层，对准层中制作有用于光刻对准的标记图形，标记图形为位于对准层中的沟槽，其中，位于下方的对准层的标记图形对位于上方的对准层的第一区域的顶面轮廓产生影响，位于上方的对准层的标记图形形成在所述第一区域外，如此可以降低多个外延层的光刻套刻偏移值，降低光刻返工率，进而降低生产成本和生产周期。所述超级结器件的制作方法利用上述的改善外延层套刻偏移的方法在多个外延层中设置标记图形。所述超级结器件利用上述的超级结器件的制作方法制成。