功率半导体封装

一种功率半导体封装，包括一基板；一芯片，所述芯片通过一双层烧结银接合结构固定至所述基板；以及一环氧模塑料，其至少模封所述芯片及所述双层烧结银接合结构的一部分。所述双层烧结银接合结构包括一第一烧结银层，位于所述基板上；以及一第二烧结银层，位于所述第一烧结银层上且所述芯片位于所述第二烧结银层上。所述第一烧结银层具有低于5％的低孔隙率，且所述第二烧结银层具有小于20GPa的低杨氏模量。