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功率半导体制造方法及功率半导体
发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
石玉萱; 黄妙君; 王茜; 闫鹏修; 沈晓文; 钟伊凡
IPC 分类
H10W 74/01 (2026.01)H10W 76/01 (2026.01)H10W 72/50 (2026.01)
本发明公开了一种功率半导体制造方法及功率半导体,其中,功率半导体制造方法包括以下步骤:将PIN针与电路板连接形成载体结构;将载体结构整体注塑到外壳框架上并获得外壳整体;组装芯片、基板和底板,并将外壳整体固定在底板上;将芯片通过引线键合到载体结构上并获得功率半导体产品。功率半导体应用上述功率半导体制造方法制成。本发明能够应用于汽车电子系统中,PIN针的连接稳定,功率半导体能够满足在有限空间内集成更多功能模块和复杂电路的要求。