一种基于主芯片开槽的高集成度封装结构及方法

本发明涉及芯片堆叠封装技术领域，特别涉及一种基于主芯片开槽的高集成度封装结构及方法，结构包括基板、第一芯片、第二芯片，所述第一芯片与所述基板通过引线键合或倒装焊连接，所述第一芯片的下表面开设有凹槽，所述凹槽与所述基板上表面组成的空腔的尺寸大于所述第二芯片的尺寸，所述第二芯片封装在所述空腔中，所述第二芯片与所述基板通过引线键合或倒装焊连接，所述凹槽的内壁设置有散热结构层和/或金属屏蔽层。本发明打破了传统主芯片上、下表面均为完整平面的结构形式，将主芯片较厚的空间进一步利用，相比于常规方案减小了封装面积或封装厚度，显著提高了集成度，以及避免了第一芯片的引线与其它芯片或元器件干涉冲突等。