一种SiC芯片封装应力缓解结构及其使用方法

本发明公开了一种SiC芯片封装应力缓解结构及其使用方法，涉及半导体封装技术领域，本发明包括封装外壳，所述封装外壳内壁与内部组件之间预留有热膨胀间隙，用于提供热膨胀空间；封装基板，所述封装基板设置在封装外壳内部，所述封装基板的表面设有若干第一焊盘。本发明通过柔性应力缓冲层和低热膨胀系数应力缓解柱的结合，显著降低了热应力对Sic芯片的影响，应力缓冲层能够吸收和分散热应力，而应力缓解柱进一步将热应力均匀传递到封装基板上，避免应力集中；本发明结构设计简单，无需昂贵的低热膨胀系数基板或复杂的多层结构，降低了封装成本；封装外壳内部填充的惰性气体有效防止了氧化和污染，提高了封装结构的长期可靠性。