表面处理中空二氧化硅和表面处理中空二氧化硅的制造方法

本发明涉及一种表面处理中空二氧化硅，其色谱中的胺的峰面积为理论值的70%以上，对称系数S为8以下。另外，本发明还涉及该表面处理中空二氧化硅的制造方法，其包括对未处理的中空二氧化硅进行表面处理，其中，将该表面处理中使用的硅烷偶联剂的分子量除以该硅烷偶联剂的1分子中所含的Si原子数而得到的值为100~300。