半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜形成用组合物

本发明提供一种能够形成图案矩形性优异的抗蚀剂底层膜的半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜形成用组合物。一种半导体基板的制造方法，包括：在基板上直接或间接地涂敷抗蚀剂底层膜形成用组合物的工序；在通过所述抗蚀剂底层膜形成用组合物涂敷工序而形成的抗蚀剂底层膜上直接或间接地涂敷抗蚀剂膜形成用组合物的工序；对通过所述抗蚀剂膜形成用组合物涂敷工序而形成的抗蚀剂膜进行曝光的工序；以及至少对经所述曝光的抗蚀剂膜进行显影的工序，所述抗蚀剂底层膜形成用组合物包含：化合物；以及溶媒，所述化合物具有‑OR，R为氢原子、碳数1～10的一价含杂原子的基或碳数1～10的一价有机基（其中，碳数1～10的一价含杂原子的基除外）中的任一者，在构成所述R的结构中，将氢原子的比例设为x，将碳数1～10的一价含杂原子的基的比例设为y，将碳数1～10的一价有机基的比例设为z的情况下，所述化合物整体中满足x+y+z=100且20≦x≦95、5≦y≦80的关系，所述化合物为具有下述式（1）所表示的重复单元的聚合物、分子量为750以上且3000以下且具有‑OR的含芳香环的化合物、或这些的组合。（式（1）中，Ar为具有环元数5～40的芳香环的二价基。R为氢原子或碳数1～40的一价有机基。R为碳数1～40的一价有机基。选自由Ar、R及R所组成的群组中的至少一个具有‑OR。）