用于制造多个半导体激光芯片的方法、半导体激光芯片、用于制造激光器件的方法以及激光器件

提出了一种用于制造多个半导体激光芯片的方法，具有以下步骤：‑在生长衬底（1）上提供外延半导体层序列（2），该外延半导体层序列具有被设置用于产生电磁辐射的有源层（5），其中有源层（5）布置在第一半导体层（3）与第二半导体层（4）之间；‑在第一半导体层（3）/第二半导体层（4）中产生具有光子晶体（10）的光子层（9）；‑从外延半导体层序列（2）的主面出发产生凹部（7），其中凹部（7）穿透有源层（5）；‑在凹部（7）中施加多个第一接触部位（13），该第一接触部位与第一半导体层（3）电接触，以及在外延半导体层序列（2）的主面上或上方施加多个第二接触部位（14），该第二接触部位与第二半导体层（4）电接触。此外，还提出了一种半导体激光芯片、一种用于制造激光器件的方法以及一种激光器件。