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기록
半导体装置
발명유효
8청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
木村肇; 大贯达也; 山崎舜平
IPC 분류
H10D 30/60 (2025.01)H10D 30/67 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 84/83 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10B 12/00 (2023.01)H10B 10/00 (2023.01)H10B 53/30 (2023.01)
提供一种电特性良好的晶体管、通态电流大的晶体管或者寄生电容小的晶体管。提供一种微型化的晶体管、能够实现高集成化的半导体装置、存储装置或显示装置。在半导体装置中,晶体管包括第一导电层、第二导电层、第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层以及栅电极,第二绝缘层位于第一绝缘层上,彼此重叠的第二半导体层及第二导电层位于第二绝缘层与第一绝缘层之间,第一绝缘层、第二导电层、第二半导体层及第二绝缘层中设置有到达第一导电层的开口部,第一半导体层与第一导电层的顶面及开口部的侧壁接触,栅电极具有位于第二绝缘层上的部分,栅极绝缘层在开口部内具有夹在第一半导体层与栅电极之间的部分。