雪崩光电二极管器件

本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（400）。APD子组件包括：衬底（401）；形成在衬底（401）上的第一接触层（403）；第二接触层（402）；以及包含锑的雪崩层（406）。雪崩层（406）被设置在第一接触层（403）和第二接触层（402）之间。第一接触层（403）是n‑型接触层。第二接触层（403）包括通过扩散锌形成的p‑型接触区（450）。p‑型接触区（450）具有比雪崩层（406）更小的横截面面积，该横截面面积垂直于从衬底（401）到第二接触层（402）的方向。