基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置

本发明提高形成于基板上的膜的特性。本发明具有以下工序：（a）向基板供给原料的工序；（b）向基板供给反应体的工序；（c）向所述基板供给调整剂的工序，所述调整剂调整吸附于基板的原料的分子和反应体的分子中至少某一个的量；（d）使（a）和（b）中至少某一个与（c）重叠进行的工序；以及（e）接着（d），相对于（c）单独进行在（d）中与（c）重叠进行的（a）或（b）的工序。