一种清除晶片卡塞边缘脏污的清洗工艺

本发明涉及半导体清洗领域，公开了一种清除晶片卡塞边缘脏污的清洗工艺，是将卡塞依次进行超纯水超声洗、复配有机溶液清洗、HQDR清洗、机械擦洗、SC2清洗、QDR清洗及甩干。本发明根据清洗机理进行了清洗工艺的集成与优化，精准控制清洗参数，有针对性的分步、循环处理卡塞表面及缝隙污染物，具有颗粒物清洁效果更好、去除顽固污染物更彻底等特点，有效解决卡塞脏污导致的晶片边缘颗粒聚集、金属离子超标等脏污问题，从而有效减少因边缘污染导致的返工，从根本上避免了晶片受到二次污染，大幅提高晶片品质，提升产品合格率，同时延长了卡塞使用周期；操作简便易行，有效降低清洗成本，具有很好的推广前景。