一种半导体级石英坩埚低损伤清洗方法、系统、清洗液

本发明公开了一种半导体级石英坩埚低损伤清洗方法、系统、清洗液，本发明涉及半导体材料加工技术领域，包括：配置粗洗酸液，粗洗酸液由质量百分比为3.0‑3.8%的HF、0.15‑0.25%的硫脲和余下的水组成；粗洗处理：将石英坩埚浸泡于粗洗酸液中；配置精洗酸液，精洗酸液由质量百分比为0.4‑0.7%的HF、7.5‑9.5%的柠檬酸、0.35‑0.45%的烷基糖苷、0.04‑0.06%的苯并三氮唑和余下的水组成；精洗处理：将粗洗处理后的石英坩埚置于精洗酸液中并进行超声波处理。本发明在相同清洗效率下实现：石英羟基和坩埚表面金属含量降低至传统工艺的1/5和1/10以下；酸液消耗量减少，符合半导体行业绿色制造标准；降低了坩埚表面粗糙度。