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기록

一种微射流激光对光方法、装置、介质及设备

발명유효
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

출원인

西安晟光硅研半导体科技有限公司

발명자

杨森; 郭朔江; 张聪; 马鹏飞; 岳娜; 党雪; 李高明

IPC 분류

B23K 26/70 (2014.01)B23K 26/00 (2014.01)G06T 7/11 (2017.01)G06T 7/136 (2017.01)

本申请属于微射流激光技术领域,揭示了一种微射流激光对光方法、装置、介质及设备。该方法包括:获取所述对光检测图像;基于所述对光检测图像,确定由所述微射流激光发射器所发射的微射流激光进入所述微射流激光加工装置进行加工的工作状态;基于所述工作状态,确定所述微射流激光与所述射流喷口的对光策略;基于所述对光策略,生成所述射流喷口,和/或所述微射流激光发射器的运动趋势,其中,所述运动趋势用于指示所述微射流激光与所述射流喷口之间的偏差方向;按照所述运动趋势,控制所述射流喷口,和/或所述微射流激光发射器移动,以实现所述微射流激光发射器与所述射流喷口的对准。本申请能够提高微射流激光的对准精度和对准效率。