倒角片源的表面处理方法

本发明公开了一种倒角片源的表面处理方法，属于半导体技术领域。倒角片源的表面处理方法包括以下步骤S1、将供体衬底与支撑衬底键合形成第一键合体；S2、对所述第一键合体的边缘倒直角；S3、将加固环套设于所述第一键合体的外周壁，所述加固环与所述供体衬底的材质相同；S4、使所述加固环与所述第一键合体上表面齐平；S5、采用CMP设备同时对所述第一键合体和所述加固环进行抛光处理。本发明在CMP过程中避免晶圆的边缘发生塌边，提高晶圆之间键合的质量。