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案件記録

MEMS器件及其制备方法

発明有効
17請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

赵成龙; 万蔡辛; 端木正

IPC分類

B81C 1/00 (2006.01)B81B 7/02 (2006.01)

本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法。其中,该MEMS器件的制备方法包括:提供衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面;沿第一图像自第一表面进行蚀刻以形成至少一个第一凹槽;以及沿第二图像自第二表面进行蚀刻以形成至少一个第二凹槽,第二凹槽与相应的第一凹槽连通,其中,第二凹槽的底部设定图像与第一凹槽的底部图像至少部分重叠,在第一方向上,重叠区域的宽度大于设定值。通过对第二凹槽的位置进行限定,可以避免双面刻蚀过程中,由于对准偏差和刻蚀角度波动导致的结构错位或断裂,确保通孔的形成。

外部リソース