一种MEMS结构的制备方法

本发明公开了一种MEMS结构的制备方法，包括准备衬底，在衬底正面生长压电层，采用临时键合工艺将基底键合在压电层远离衬底的表面，用减薄工艺减小衬底厚度，准备基板并贯穿其形成背腔，将基板连接在衬底远离压电层的表面，背腔为振膜提供振动空间，最后用解键合工艺去除基底。本发明方法将高难度的晶圆级背腔刻蚀工艺，转变为相对简单、灵活的板级加工工艺。这不仅避免了在脆弱的衬底‑压电层结构上直接进行刻蚀可能造成的损伤，从而提高了产品良率，还使得背腔的加工可以独立并行进行，大幅缩短了整体生产周期，提升了制造效率。