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기록
MXene/TiO/ZnInS三元集成异质结及其制备方法和应用
발명유효
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
杨勇; 段奇系; 王德华; 李嘉昊; 孙海; 朱震宇; 方兆龙
IPC 분류
C01B 32/921 (2017.01)B82Y 30/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)B82Y 15/00 (2011.01)C01G 23/047 (2006.01)C01G 15/00 (2006.01)G01N 27/12 (2006.01)
本申请属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及一种MXene/TiO/ZnInS三元集成异质结及其制备方法和应用。该MXene/TiO/ZnInS三元集成异质结包括基底、中间层和外层；其中，基底为二维MXene纳米片、中间层为TiO纳米颗粒；外层为ZnInS纳米片；二维MXene纳米片和所述TiO纳米颗粒之间形成金属‑半导体界面；TiO纳米颗粒和所述ZnInS纳米片之间形成半导体异质界面。本发明提供的MXene/TiO/ZnInS异质结对三乙胺表现出优异的气体选择性并且响应值高，回复速度快，在长期稳定性和抗湿度干扰等方面表现优异，在实际生产中有广阔的运用前景。