碳化硅的制备方法

本申请公开了一种碳化硅的制备方法，所述制备方法包括步骤：对硅粉进行干燥，硅粉的纯度为99~99.9999%；将混合气体预热至300~500℃，混合气体包括碳氢气体和载气，载气采用氩气或氢气；将干燥后的硅粉和预热后的混合气体送入回转窑内进行反应，控制Si与C的摩尔比为1:1，生成β‑SiC粉末，反应温度为1100~1400℃，回转窑内的压强为绝压60~85kPa，回转窑窑体的旋转速度为1~5转/min；将β‑SiC粉末送入真空反应炉内，通入氩气，并升温至1900~2100℃，反应3~10h，β‑SiC粉末生长并重结晶转变成α‑SiC粉体，所得α‑SiC粉体的纯度为99~99.999%。