一种氧化物半导体靶材粉体及其制备方法和半导体靶材、氧化物半导体薄膜及薄膜晶体管

本发明提供了一种氧化物半导体靶材粉体及其制备方法和半导体靶材、氧化物半导体薄膜及薄膜晶体管，属于半导体材料与器件及微电子技术领域。本发明提供的氧化物半导体靶材粉体中三价及四价Tb离子可以有效地弛豫光生载流子，制备成氧化物半导体薄膜之后，通过Tb离子作为光生电子的弛豫通道和复合中心，抑制NBIS下氧化物半导体薄膜中深能级缺陷（主要为价带顶附近的中性氧空位）的电离，从而提高薄膜晶体管的NBIS稳定性，解决薄膜晶体管阈值电压负漂问题，并且Tb离子不会引入杂质或晶体场劈裂能级缺陷，不影响电子输运，实现NBIS稳定性良好且迁移率高的TFT。