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一种掺硼金刚石薄膜电极的封装方法
발명유효
4조회수
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
郑康; 刘康; 朱嘉琦; 吕良伟; 张鑫
IPC 분류
C02F 1/461 (2023.01)C25B 11/069 (2021.01)C25B 11/02 (2021.01)
一种掺硼金刚石薄膜电极的封装方法,本发明是要解决BDD表面与金属接触易存在肖特基势垒,易导致电连接组件短路和腐蚀损坏的问题。封装方法:一、清洗掺硼金刚石薄膜电极;二、涂覆光刻胶;三、对掺硼金刚石薄膜电极表面光刻胶层的部分区域进行激光烧蚀形成石墨化区域;四、沉积过渡金属层;五、去除光刻胶,然后在金属化区域焊接上极耳;六、将绝缘材料注入模具内,固化处理后移除模具得到封装后的掺硼金刚石薄膜电极。本发明掺硼金刚石薄膜电极的封装方法能够显著提升掺硼金刚石电极电气连接的可靠性和便利性,同时消除了薄膜电极界面存在的肖特基势垒,减少了界面损耗,以免焦耳热的大量产生导致掺硼金刚石与衬底产生热失配脱落。