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기록
一种低电阻率氧化锡基靶材及其制备方法与应用
발명유효
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
韩灿; 陈茵芝; 高平奇; 张勇; 余仲
IPC 분류
C04B 35/457 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)
本发明公开了一种低电阻率氧化锡基靶材及其制备方法与应用。本发明的低电阻率氧化锡基靶材的制备方法包括以下步骤:混料、球磨、预烧、球磨、造粒、铸坯和烧结,预烧包含两个保温预烧阶段,第一个保温预烧阶段的气氛为惰性气体和氧气的混合气氛,第二个保温预烧阶段的气氛为真空、还原性气氛或惰性气氛。本发明的氧化锡基靶材采用阶段性分步预烧工艺制备,其具有结构和成分均匀、具备合适的孔隙率、电阻率低、镀膜过程中不易开裂等优点,制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高,适合进行大规模工业化生产和应用。