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기록

一种织构化氮化硅陶瓷基板及其制备方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

齐丹; 赵继雪; 王金兴; 张松峰; 付泉鑫; 高宏宇; 商安琪; 丛鑫; 李爽; 任松

IPC 분류

C04B 35/584 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/64 (2006.01)

本申请提供一种织构化氮化硅陶瓷基板及其制备方法,涉及陶瓷基板领域。该方法包括:将α‑SiN粉末、β‑SiN晶种、烧结助剂、石墨、溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂混合、球磨,得到流延浆料;将流延浆料进行流延成型,得到生坯带,将所述生坯带进行裁片、叠层、静压工序得到生坯体;将生坯体进行裁切、敷粉、叠片、装匣钵、排胶,得到排胶后生坯体,在氮气气氛下,将排胶后生坯体进行烧结得到织构化氮化硅陶瓷基板;β‑SiN晶种在流延刮刀作用下定向,在烧结过程中作为模板会诱导新成核的β‑SiN晶粒沿流延方向排列形成织构化结构;石墨在氮化的过程中通过促进SiO的去除,提高SiN‑SiN的连续性。