一种用于SiC晶片的耐磨聚氨酯抛光层及其制备方法和应用

针对现有的聚氨酯抛光垫中补强填料与聚氨酯基体相容性差，填料与树脂之间存在滑动现象，抛光垫的耐磨性降低的问题，本申请提供一种用于SiC晶片的耐磨聚氨酯抛光层及其制备方法和应用。所述抛光层包括以下原料：改性补强填料接枝聚氨酯预聚体；所述改性补强填料包括补强填料和改性物质，所述补强填料和所述聚氨酯预聚体分别通过化学键与所述改性物质连接。本申请提供的耐磨聚氨酯抛光层，原料包括改性补强填料接枝聚氨酯预聚体，通过对补强填料进行改性，有效的将补强填料接枝到聚氨酯预聚物中，大大的增加了补强填料在聚氨酯基体中的相容性，提高热化学稳定性，避免高低温析出；避免了填料与树脂之间的滑动，从而实现了优异的耐磨性。