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기록
一种等离子体辅助原子层沉积系统及工艺
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
武晓瑞; 左雪芹; 徐涛; 王宇龙; 谢耀; 陆雪强
IPC 분류
C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)C23C 16/448 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/56 (2006.01)C23C 16/50 (2006.01)
本发明公开了一种一种等离子体辅助原子层沉积系统及工艺,属于薄膜沉积技术领域。所述系统包括:工艺腔,所述工艺腔的顶部设有扩散口,所述工艺腔的底部通过升降机构连接样品台,所述工艺腔的底部还通过抽气管路连接真空泵,所述工艺腔上端通过等离子发生器上端连接第一气路结构,所述工艺腔的侧部连接第二气路结构;传输腔,所述传输腔的底部通过另一抽气管路连接真空泵。本发明的第一气路结构中,氨气气源与单口瓶、双口瓶的气源均与辅助载气连通,则保证气体传输工程中的真空度,两个腔体底部分别连通真空泵,这样能够保证两个腔体的真空度,有效防止氮化物薄膜被氧化,进而保证电学性能。