一种用于封装铜凸块的梯度沉积电镀方法

本发明公开一种用于封装铜凸块的梯度沉积电镀方法。包括以下步骤：步骤一、晶圆预处理；步骤二、将预处理后的晶圆浸入电镀液作为阴极，电源输出一个中等电流密度3‑7ASD，沉积一层厚度为1‑5μm的初始铜层；步骤三、程控电流密度在1‑3秒内阶跃至一个高电流密度值10‑20ASD，沉积铜层厚度占总目标高度的50%‑85%；步骤四、程控电流密度在1‑3秒内阶跃至一个低电流密度值0.5‑3 ASD，沉积一层厚度为总高度5%‑20%的薄层，将晶圆取出进行后处理。本发明通过创新性地采用“中等电流打底‑高电流构建微凸‑低电流精整”的多阶段梯度电流密度工艺，成功解决了铜柱凸块电镀中效率与质量不可兼得的核心难题。