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기록

一种在常压高温下生长大尺寸同位素六方氮化硼的制备方法及其在中子探测中的应用

발명유효
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张璐; 吴巍炜; 石勇; 刘莉; 邱杰; 邓志勇; 薛张伟; 王云

IPC 분류

C30B 1/10 (2006.01)C30B 1/12 (2006.01)C30B 29/40 (2006.01)G01T 3/00 (2006.01)

本发明公开了一种在常压高温下生长大尺寸同位素六方氮化硼的制备方法及其在中子探测中的应用,方法包括:将镍粉、铬粉和硼粉混合均匀,得到硼与镍铬合金的混合物;随后在保护气气流下进行脱氧处理;再降低体系压力后,通入保护气和反应性保护气的混合气体至常压并进行保护;最后对脱氧后的混合物进行二次阶梯加热,在第一次加热后进行保温,且第一次加热的温度大于第二次加热的温度;再自然冷却至室温后生成六方氮化硼晶体。本发明采用镍铬合金作为金属助熔剂,通过优化的气体氛围与阶梯式的温度控制,成功在常压条件下制备出大尺寸、高质量的同位素六方氮化硼单晶,在中子探测和二维材料等领域具有重要的应用价值。