一种高通量CVT气相输运沉积合成生长制备晶体材料的装置

本发明公开了一种高通量CVT气相输运沉积合成生长制备晶体材料的装置，包括：带有密封管的生长加热炉，所述密封管一端设有带有阀门的泵管接口，用于密封管内部真空化或填充指定气体；磁耦合直线导入器，通过螺纹安装接口设置在密封管另一端，用于驱动带有生长结构的导杆在密封管内移动旋转；生长结构，包括限位安装组件及限位安装组件上呈均匀环形分布的多组生长坩埚，多组所述生长坩埚用于同步生长制备晶体材料。本发明在同一个生长周期内可以同时处理多个样品，不仅大大增加了每次实验或生产的产出量，还因为所有坩埚处于相同的环境条件下，确保了各组生长条件的一致性，有助于提高晶体材料的质量稳定性和重复性。