降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法

本发明提供降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在拉晶过程中，通过在放肩后期降低坩埚转速及降低加热功率降低幅度，以预先形成一个设定的空位型点缺陷区域，然后在等径前期增加坩埚转速及增加加热功率降低幅度；以在放肩后期从“低埚转+空位型”向等径前期“高埚转+低功率”的动态切换，以驱动空位型点缺陷向V/I边界（即OSF环所在区域）甚至自间隙型一侧移动，以在晶体内形成无OSF核的洁净区域。