半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法

本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，涉及半导体材料制备技术领域，该半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长腔室、设置在生长腔室上部的籽晶固定结构以及设置在生长腔室下部的原料容纳区，还包括排气阻隔部，排气阻隔部设置在原料容纳区中，排气阻隔部的表面设有微孔结构，排气阻隔部的内部设有连通原料和腔室上部的气体扩散通道，排气阻隔部通过微孔结构与气体扩散通道的协同作用，使原料中析出的杂质气体定向扩散至生长腔室的上部并排出。本发明公开的一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，能够有效去除原料中所含的杂质气体元素，如B、N等，从而进一步提高半绝缘碳化硅晶体的电阻率。