用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法

本发明公开了用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法，本发明涉及薄膜材料生长技术领域，解决了功率调节未设置超限保护，可能引发石墨基座热变形；且功率与气体流量调节不同步，无法协同抵消温度偏差导致的C/Si比失衡的技术问题，本发明通过创新采用空间‑参数‑时间的识别逻辑，通过匹配异常‑缺陷关联知识库，可精准区分中心缺陷与边缘缺陷，采用临界比例法优化PID参数，提升温度调节响应速度，增加功率上下限判断机制，避免功率骤变导致的设备损伤,实现功率调节与H/C/Si比同步联动，建立缺陷类型‑成因‑调节策略的精准映射，针对边缘翘曲、多晶/颗粒、杂质聚集、厚度不均分别设计差异化方案，降低边缘厚度均匀性偏差以及边缘缺陷率。