一种分子束外延生长温度的升温控制方法

本发明提供一种分子束外延生长温度的升温控制方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：根据预先获得的满功率升温时的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算第一目标温度T，满功率将衬底温度从T升温至T；选定第i目标温度T，从温度T线性升温至T，依次类推，直至升温至T。通过预先获得的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算出不过冲时对应的最大温度作为第一目标温度，并按照对数函数方式确定后续的多个目标温度，从而在不增加升温总时间的前提下，显著降低了衬底大幅快速升温中出现的温度过冲，从而为外延工艺的优化控制提供了一种有效的升温控制手段。