一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用

本发明公开了一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用。涉及二维半导体材料领域。二维菱方相二硫化钼材料的制备方法，包括以下步骤：以硫源和钼源为原料，在表面具有周期性凹形结构的M面蓝宝石衬底上进行化学气相沉积反应；上述周期性凹形结构的M面蓝宝石衬底，周期为44.1‑45.9 nm，深度为9.8‑10.2 nm。本发明通过将衬底设计为M面蓝宝石且表面具有周期44.1‑45.9 nm、深度9.8‑10.2 nm的周期性凹形结构，在化学气相沉积过程中，当硫源和钼源蒸气在衬底表面成核时，上述独特的凹形结构可为初始成核的二硫化钼原子层提供精准的曲率引导。