基于（-310）面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法

本发明公开了一种基于（‑310）面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法，其步骤包括：（1）将（‑310）面GaO单晶薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛下进行部分氮化或全部氮化，以在GaO单晶薄膜表面形成多孔半极性GaN层；（2）在多孔半极性GaN层上外延生长GaN膜，获得半极性GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得半极性GaN及半极性GaN自支撑衬底的方法，采用（‑310）氧化镓单晶薄膜通过氮化得到半极性GaN，进一步厚膜外延得到半极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本半极性GaN的批量制备。