一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法

一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及高纯半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本发明的方法：采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶和粘合剂；二、制备硅碳预烧结体；三、通过固化过程、自蔓延协同碳热还原反应过程、原位碳化硅晶粒生长过程和原位碳化硅晶粒致密化过程制备原位大尺寸高纯半导体级碳化硅多晶料。制备的碳化硅多晶粒的粒径为0.8~20mm，纯度达到6N，密度达到1.6~2.5g/cm，收率为85%~90%，可用于碳化硅制备领域。