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案件記録
硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
艾力江·阿卜杜如苏力; 黄君本; 王硕; 张成龙
IPC分類
C30B 29/52 (2006.01)C30B 9/04 (2006.01)C30B 11/00 (2006.01)C30B 33/02 (2006.01)G01S 7/481 (2006.01)
本发明涉及一种硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途，硫硅镁锂晶体的化学式为LiMgSiS，分子量为194.52，结晶于正交晶系，空间群为2，晶胞参数为a=7.83(2)Å，b=6.599(19) Å，c=6.194(18)；α=90°，β=90°，γ=90°，V=320.1(16) Å；硫锗镁锂晶体的化学式为LiMgGeS，分子量为239.02，结晶于正交晶系，空间群为2，晶胞参数为=7.911(18) Å，=6.677(15) Å，=6.270(15) Å；α=β=γ=90°，V=331.16(13)Å。采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法制备，所获得的硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体具有优异的光学性能，其红外吸收截止边长，带隙宽，激光损伤阈值高。在高功率红外激光系统中具有重要的应用价值。
外部リソース