钐钴永磁体1:5H胞壁相厚度的测量方法

本发明涉及一种钐钴永磁体1:5H胞壁相厚度的测量方法，包括以下步骤：制备钐钴永磁体的电子显微镜样品；将电子显微镜样品置于场发射透射电子显微镜，然后将电子显微镜样品的晶粒倾转至胞内主相的<11‑20>晶带轴；切换透射模式，采集处于edge‑on状态的1:5H胞壁相图像；在edge‑on状态的1:5H胞壁相图像中，沿着1:5H胞壁相的富Sm原子层，测量胞内主相和1:5H胞壁相的界面之间的距离d，计算1:5H胞壁相的厚度w，w=d·cos30°。本发明的测量方法有效消除了因1:5H胞壁相与胞内主相投影重叠所带来的界面识别干扰，实现在原子尺度对1:5H胞壁相厚度的精准测量。