针对III-V族材料与硅基键合激光器的测试系统及方法

本发明提供一种针对III‑V族材料与硅基键合激光器的测试系统及方法，系统包括待测III‑V族材料与硅基键合激光器芯片；解离对照芯片与待测III‑V族材料与硅基键合激光器芯片采用相同的III‑V族材料和工艺流程制备；对照波导组包括多根与键合波导结构相同的参考波导；光学耦合结构用于将激光器芯片和对照波导组与测试设备连接；测试设备用于根据光功率参数和光谱特性参数计算输出测试结果，本发明不仅能够同步测量波导输出功率、边模抑制比、耦合光功率和耦合效率等关键参数，而且通过解离对照芯片和对照波导组降低耦合效率测量误差，提升测试精度和效率，为硅基光子集成器件的研发和量产提供了可靠的测试解决方案。