一种声子干涉共振的晶体硅薄膜结构热导率调控方法

本发明涉及声子工程技术领域，提供一种声子干涉共振的晶体硅薄膜结构热导率调控方法，包括：构建晶体硅薄膜声子干涉模型结构，于晶体硅薄膜声子干涉模型结构的两侧表面设置周期性分布的纳米柱阵列作为热源和冷源，其中，纳米柱的周期长度设置为可调，获得含周期性热源和冷源的晶体硅薄膜模型结构；获取目标温度下晶体硅薄膜的主导声子波长；调整热源和冷源的周期长度，与目标温度下晶体硅薄膜的主导声子波长匹配，诱发多路声子干涉共振；通过非平衡分子动力学模拟计算晶体硅薄膜声子干涉模型结构的热导率，获得调控后的热导率计算结果；通过调整周期性纳米点热源/冷源结构有效诱导声子干涉与局域共振现象，得出热导率、温度、长度相关性规律。