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案件記録
三氯氢硅中金属元素的测定方法及其应用
発明有効
11請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
苏国良; 鲍宗必; 王迪; 申福星; 阿热帕提·阿扎提; 李金娥; 石明; 刘兴平
IPC分類
G01N 30/02 (2006.01)G01N 30/06 (2006.01)G01N 30/72 (2006.01)G01N 30/86 (2006.01)
本发明涉及半导体级硅材料痕量分析技术领域，具体公开了三氯氢硅中金属元素的测定方法及其应用。该方法通过采取三重四极杆ICP‑MS/MS技术，能够对于高纯三氯氢硅生产过程中金属杂质的ng/g级精准定量分析，为半导体级多晶硅质量控制提供了可靠的技术保障。
外部リソース