一种基于波长位移材料的抗辐射光导设计方法

本发明公开了一种基于波长位移材料的抗辐射光导设计方法，包括如下步骤：S1：选择兼具“闪烁‑波长转换”双功能与抗辐射性能的材料作为波长位移材料；S2：基于S1中选择的波长位移材料进行光导主体结构构建；S3：在光导主体内壁及光纤束对接面分别设置波长位移层，波长位移层由S1中波长位移材料制备，光导主体为铝合金或钢材质CNC制成；S4：在光导主体内壁及波长位移层表面镀增强型镜面反射膜，对波长位移层添加抗辐射稳定剂；S5：验证光导入口端任意位置光子收集效率与中心位置偏差。本发明与现有技术相比的优点在于：提供一种在高辐射环境下保持其波长转换效率，打破边缘光的方向限制的一种基于波长位移材料的抗辐射光导设计方法。