硅光芯片结构、三维堆叠硅光芯片及其制备方法

本申请提供一种硅光芯片结构、三维堆叠硅光芯片及其制备方法。该硅光芯片结构包括：衬底；器件层，形成在衬底上，器件层包括半导体器件；第一光互连结构，与半导体器件连接，并沿硅光芯片结构的层叠方向延伸至硅光芯片结构的正面或背面；其中，在硅光芯片结构与另一硅光芯片结构键合时，硅光芯片结构中的第一光互连结构被配置为与另一硅光芯片结构中的第一光互连结构彼此互连。该硅光芯片结构采用三维堆叠键合的方式实现两个硅光芯片结构之间的互连通信，有效减小了产品体积，提升了产品集成度；且缩短了两个硅光芯片结构的互连距离，降低了工艺难度。