图案化方法及半导体器件

本申请提供一种图案化方法及半导体器件。该图案化方法包括提供铌酸锂层；执行第一刻蚀工艺，图案化铌酸锂层，以在铌酸锂层内形成初始沟槽，初始沟槽的内侧壁的至少部分区域具有起伏的表面轮廓；表面轮廓具有波峰和波谷；形成阻挡层，阻挡层覆盖在初始沟槽的内侧壁上，阻挡层的材质与铌酸锂层的材质不同；执行第二刻蚀工艺，至少去除阻挡层以及铌酸锂层的波峰，以形成沟槽；沟槽的内侧壁的粗糙度为亚纳米级，且沟槽的内侧壁与铌酸锂层垂直；在执行第二刻蚀工艺时，阻挡层的刻蚀速率均小于铌酸锂层的刻蚀速率。本申请同时平衡刻蚀侧壁的垂直度和表面粗糙度。